Toshiba Electronic Components Taiwan Corporation 部落格

新世代NAND快閃記憶體大戰即將再度開打？

隨著NAND的製程越趨成熟，NAND顆粒的製程也開始逐漸邁入瓶頸，
然而為了在NAND市場取得進一步的優勢，
各家NAND廠商莫不絞盡腦汁進行研發，深恐一不小心就被對手追上，
然後就再也回不去了XD

所以，在這樣的危機意識之下，
咱們東芝也在今年五月宣布與另一記憶體大廠SanDisk簽署合作備忘錄，
共同在日本的三重縣投資建設新的晶圓廠，
並拆除原有的2號半導體生產廠，
以將原有的2D NAND產能在2016年轉向  

為什麼要將原本的2D NAND轉成3D NAND的製程？
舉個簡單的比例好了，在相同的面積之下，
隨著儲存容量需求越來越大，原本1cm2 的晶片可以塞進100顆球，
可是想要塞進的球越來越多，只能把球縮的越來越小，
這就是所謂的奈米技術。
但球總會達到一個最小的極限，到最後就塞不進去，
這就是2D NAND的10奈米物理限制
於是，製造商想到不同的製造方式來突破這個瓶頸，
而在其中，東芝的3D NAND快閃記憶體─BiCS，
就可以突破平面NAND快閃記憶體在10奈米（nm）以下
製程節點的儲存格微縮瓶頸

 

很厲害吧？
目前東芝計畫在BiCS NAND快閃記憶體量產前先推出1Y及1Z奈米製程技術，
會比現今量產的19奈米製程技術還要再領先一個世代以上。
先不提BiCS NAND Flash到底有多神奇了，
光是19奈米的製程就已經是目前業界最先進的技術，
所以大概就可以知道領先一個世代，也不算是太誇張的形容詞了吧。

 

不過，雖然咱們東芝對NAND快閃記憶體製程很有信心
但也表明在1Z製程將面臨物理限制之後，
2015年東芝將全面轉移至3D NAND的快閃記憶體製程上，
全力搶攻嵌入式NAND以及固態硬碟的市場

看來，NAND大戰，似乎才剛要開始呢！